2026年卒日本電気（NEC）のSEのインターンエントリーシート詳細（大学名非公開/性別非公開)（2025/06/26公開)

個別指導塾講師としての経験で培った「相手目線で考える力」が貴社のインターンシップで活かすことのできる力である。勤務当初、勉強が苦手な生徒は学習意欲が低く、成績が低迷していた。私は勉強の難しさが生徒の意欲を低下させていると分析し、解決策として生徒に成功体験を積ませた。まず、簡単な問題から取り組ませ、正解することで「自分でもできる」と認識させ、苦手意識の改善を図った。次に、徐々に問題の難易度を上げ、今まで解けなかった問題が解けた時の達成感を通じて勉強の楽しさを伝えた。その結果、生徒は自発的に勉強するようになり、学習内容を理解することで成績も向上し、2年連続で中学3年生の担当生徒全員を第一志望合格に導いた。
インターンシップでは強みを活かして相手目線での課題解決を行い、お客様に寄り添ったシステム開発を体験したい。また、それに対して今度成長するためのフィードバックを社員様から頂けることを期待します。

私は、赤外線センサに用いる半導体材料についての研究を行っている。InSb(インジウムアンチモン)という半導体材料について研究しており、この材料は量子型の遠赤外線センサに活用される。しかし、現在主流の水銀、カドミウム、テルルを組み合わせた材料を用いるセンサと比較すると、長波長領域の赤外線吸収や感度が劣るという課題がある。そこで、私はInSbの感度向上を目指して研究を行った。実際の内容としては、分子線エピタキシー法を用いてGaAs基板にIn(インジウム)とSb(アンチモン)の分子線を照射してInSb薄膜の試料を作製し、ホール測定や分子間力顕微鏡で評価を行った。具体的には、InSbを作製する際のInとSbの比を変えた。さらに同じ比でも作製する際の成長温度を変更して比較を行った。その結果、感度が向上しているかの指標の一つとなる電子移動度が22000[cm2/s]から33500[cm2/s]にまで改善することができた。

学部時代同様、InSbについての研究を行っている。修士では、InSbのもう一つの課題である、長波長領域の赤外線吸収が現在主流の水銀、カドミウム、テルルを組み合わせた材料と比べて劣るという点に着目した。
大気中には、大気の影響が少なく光の透過率が高い波長域があり、InSbはバンドギャップをより下げることで、その波長域の赤外線の吸収に適した半導体にすることができる。バンドギャップを下げる方法として、InSbに窒素を導入するという方法があり、Sbと窒素の混晶比を適切にすることでバンドギャップを下げることができる。この方法を利用して、赤外線センサへの活用を目標として、適切なバンドギャップとなるSbと窒素の混晶比を見つけることで長波長領域の赤外線吸収を実現させることを目標に研究を行っている。実際の内容としても学部時代同様、分子線エピタキシー法を用いて試料を作製し、分子間力顕微鏡やX線回折法を用いて評価を行うという内容だ。

ITを用いた課題解決に興味があるためSE職を希望する。私は高校時代に通っていた塾で、ITを活用した新たな学習提案の形に感銘を受けた。AIを活用して学習の進捗や模試の結果から個別化された学習提案を行われ、成長速度が飛躍的に向上した。この経験からITを活用し、顧客のニーズに沿った価値を提供したいと強く感じた。
選択テーマの志望理由は、要件定義から運用保守のシステム開発の全工程を体験し、顧客のニーズに応じたDX技術の開発を体感したいからだ。貴社では生体認証技術や5Gなど新技術の創出が盛んである。そのような環境で強みである相手目線で考える力とリーダーシップを活かし、新たなITサービスの提供を目指す。

選考に面接がないため、志望動機の部分で熱量を持ってこのインターンに参加したいという意気込みを伝えること。