2008年卒東芝の志望動機詳細（筑波大学大学院/女性）（公開）

実際に企業に提出した志望動機

08年卒

理系

女性

学校名

：

筑波大学大学院

職種

：

非公開

志望動機

分野＜CMOSセンサ(デバイス開発)＞
御社はNAND型フラッシュメモリやCMOSイメージセンサDynastronなど世界最先端
の半導体技術を持っていらっしゃいます。その中でも特にCMOSイメージセンサに
興味があります。現在、私は放射線に強い半導体検出器を高エネルギー加速器機
構と共同で開発しております。その検出器の一つとしてSOI技術を用いたCMOSセ
ンサが考えられており、私は読み出し部分に使われるトランジスタの放射線耐性
について研究をしています。

CMOSセンサの用途は非常に幅広いと思います。私たち素粒子実験では、粒子の位
置情報を把握するためにCMOSセンサを使っていましたが、御社ではSOI技術を
使ったより小型で低消費電力なCMOSセンサを開発し、携帯電話やデジタルカメラ
の可能性を広げていきたいです。そして高画質な映像を通し、世界中の人々に感
動や驚きを提供したいです。

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